浙江晶盛机电股份有限公司关于研发项目取得重大技术进展的公告(二)

                   浙江晶盛机电股份有限公司
             关于研发项目取得重大技术进展的公告

     本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性
 陈述或者重大遗漏。



    近日我公司和国内最大、世界第三的区熔硅单晶生产企业——天津市环欧半
导体材料技术有限公司(以下简称“天津环欧”)联合承担并由我公司研制的国
家科技重大专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》之“8 英寸区熔硅
单晶炉国产设备研制”课题的区熔硅单晶炉,在天津环欧应用现场,结合天津环
欧领先水平的晶体生长工艺技术并经其工艺人员验证,成功拉出 8 英寸气相掺杂
单晶硅。单晶棒长度约 800mm,直径 202.5mm,重量约 47.7kg,单晶轴向电阻率
35~45Ω .cm,径向电阻率不均匀度 RRV<15%,单晶各项技术指标均已达到国际
领先水平。采用气相掺杂技术拉制的区熔硅单晶解决了中子辐照单晶硅生产周期
长、成本高、及晶体中照损伤的不利因素。
    8 英寸气掺区熔硅单晶棒的拉制成功,验证了我国自主研制的区熔硅单晶炉
技术已取得了突破性的进展,也是目前国产区熔设备上拉制出的尺寸最大的气掺
区熔单晶棒。相比于传统的中子照射区熔硅单晶棒,气掺区熔硅单晶棒可降低生
产成本 20%~30%,在 IGBT 大功率器件领域具有非常好的应用前景。
    此项重大进展表明我公司的 8 英寸区熔硅单晶炉已具备产业化基础,并预计
将在 2013 年开始实现少量销售。
    敬请投资者注意投资风险。


特此公告。
                                         浙江晶盛机电股份有限公司董事会
                                                        2013 年 6 月 3 日



关闭窗口